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2N2605

2N2605

数据手册.pdf

PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 400 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

2N2605中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46-3

外形尺寸

封装 TO-46-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N2605引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N2605 Microsemi 美高森美 PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR 搜索库存
替代型号2N2605
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N2605

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-46 400mW

当前型号

PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

当前型号

型号： JANTX2N2605

品牌： 美高森美

封装： TO-46 400mW

完全替代

Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3Pin TO-46

2N2605和JANTX2N2605的区别

型号： JAN2N2605

品牌： 美高森美

封装： TO-46

完全替代

Trans GP BJT PNP 60V 0.03A 3Pin TO-46

2N2605和JAN2N2605的区别

型号： JANTXV2N2605

品牌： 美高森美

封装： TO-46

完全替代

TRANS PNP 60V 30mA TO46

2N2605和JANTXV2N2605的区别