FQP9N25C、STP80NF10、FQP8N80C对比区别

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型号 FQP9N25C STP80NF10 FQP8N80C

描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 250 V 100 V -

额定电流 8.80 A 80.0 A -

额定功率 - 300 W -

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 430 mΩ 0.012 Ω 1.29 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 74 W 300 W 178 W

阈值电压 - 3 V 5 V

输入电容 - 5500 pF 1580 pF

漏源极电压(Vds) 250 V 100 V 800 V

漏源击穿电压 250 V 100 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.80 A 80.0 A -

上升时间 85 ns 80 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 1580pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 74 W 300 W 178 W

下降时间 65 ns 60 ns 70 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 74W (Tc) 300W (Tc) 178000 mW

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.1 mm

宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 16.3 mm 9.15 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -