BSP170PL6327、NDT2955、BSP613P对比区别

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型号 BSP170PL6327 NDT2955 BSP613P

描述 60V,-1.9A,P沟道功率MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT2955  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 VInfineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261 TO-261-4 SOT-223-4

引脚数 4 4 -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -1.90 A -2.50 A -2.90 A

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 - 3 W 1.8W (Ta)

输入电容 410 pF - 875 pF

栅电荷 16.0 nC - 33.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 1.90 A 2.50 A 2.90 A

输入电容(Ciss) 410pF @25V(Vds) 601pF @30V(Vds) 875pF @25V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3W (Ta) 1.8W (Ta)

额定功率(Max) 1.8 W 1.1 W -

额定功率 - 3 W -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.095 Ω -

阈值电压 - 2.6 V -

漏源击穿电压 - -60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 10 ns -

下降时间 - 6 ns -

长度 - 6.5 mm 40 mm

宽度 - 3.56 mm 40 mm

高度 - 1.6 mm 1.5 mm

封装 TO-261 TO-261-4 SOT-223-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -