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BSP170PL6327

BSP170PL6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BSP170PL6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.90 A

极性 P-Channel

输入电容 410 pF

栅电荷 16.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.90 A

输入电容Ciss 410pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261

外形尺寸

封装 TO-261

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BSP170PL6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSP170PL6327 Infineon 英飞凌 60V,-1.9A,P沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号BSP170PL6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP170PL6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 P-Channel 60V 1.9A 410pF

当前型号

60V,-1.9A,P沟道功率MOSFET

当前型号

型号: NDT2955

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-223 P-Channel -60V 2.5A 300mohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT2955  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V

BSP170PL6327和NDT2955的区别

型号: BSP613P

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 P-CH 60V 2.9A 875pF

功能相似

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BSP170PL6327和BSP613P的区别