
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -1.90 A
极性 P-Channel
输入电容 410 pF
栅电荷 16.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 1.90 A
输入电容Ciss 410pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261
封装 TO-261
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BSP170PL6327 | Infineon 英飞凌 | 60V,-1.9A,P沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BSP170PL6327 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-223 P-Channel 60V 1.9A 410pF | 当前型号 | 60V,-1.9A,P沟道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: NDT2955 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-223 P-Channel -60V 2.5A 300mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT2955 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V | BSP170PL6327和NDT2955的区别 | |
型号: BSP613P 品牌: 英飞凌 封装: SOT-223 P-CH 60V 2.9A 875pF | 功能相似 | Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | BSP170PL6327和BSP613P的区别 |