STGD3NB60HDT4、STGD7NB60KT4、FGB20N6S2D对比区别
型号 STGD3NB60HDT4 STGD7NB60KT4 FGB20N6S2D
描述 N沟道6A - 600V - DPAK封装的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBTN沟道600V - 7A - TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT600V ，开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 6.00 A 7.00 A 28.0 A
耗散功率 - 70 W 125 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 50 W 70 W 125 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 70 W -
上升时间 - - 4.50 ns
反向恢复时间 95 ns - 31 ns
漏源极电压(Vds) 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 6.00 A - -
长度 - 6.6 mm 10.67 mm
宽度 - 6.2 mm 9.65 mm
高度 - 2.4 mm 4.83 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - - EAR99