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FGB20N6S2D

FGB20N6S2D

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FGB20N6S2D中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 28.0 A

耗散功率 125 W

上升时间 4.50 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 31 ns

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FGB20N6S2D引脚图与封装图
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在线购买FGB20N6S2D
型号 制造商 描述 购买
FGB20N6S2D Fairchild 飞兆/仙童 600V ,开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode 搜索库存
替代型号FGB20N6S2D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FGB20N6S2D

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-247 600V 28A 125W

当前型号

600V ,开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

当前型号

型号: SGS23N60UFDTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220F 600V 12A 73000mW

功能相似

高速开关 High speed switching

FGB20N6S2D和SGS23N60UFDTU的区别

型号: STGD7NB60KT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 600V 7A 70W

功能相似

N沟道600V - 7A - TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

FGB20N6S2D和STGD7NB60KT4的区别

型号: HGT1S7N60C3D

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220AB 60000mW

功能相似

14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

FGB20N6S2D和HGT1S7N60C3D的区别