IRFI1310N、IRFI1310NPBF对比区别
型号 IRFI1310N IRFI1310NPBF
描述 TO-220FP N-CH 100V 24AN 通道功率 MOSFET 20A 至 29A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - -
额定电流 - -
通道数 - -
漏源极电阻 - -
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 56W (Tc) 56 W
产品系列 - -
输入电容 - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
漏源击穿电压 - -
连续漏极电流(Ids) 24A 24A
上升时间 56 ns 56 ns
隔离电压 - -
输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 56 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
下降时间 40 ns 40 ns
耗散功率(Max) 56W (Tc) 56W (Tc)
长度 - 10.75 mm
高度 - 9.8 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 - -