极性 N-CH
耗散功率 56W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 56 ns
输入电容Ciss 1900pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 56W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFI1310N 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220FP N-CH 100V 24A | 当前型号 | TO-220FP N-CH 100V 24A | 当前型号 |
| 型号： IRFI1310NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 24A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFI1310N和IRFI1310NPBF的区别 |
