锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

AS4C16M16S-6BIN、AS4C16M16SA-6BIN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C16M16S-6BIN AS4C16M16SA-6BIN

描述 DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16M x 16 3.3V 54Pin TFBGAAS4C4M16S 256-Mb (16 M x 16) 3.6 V 高速 CMOS 同步 DRAM - TFBGA-54

数据手册 --

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 -

封装 TFBGA-54 TFBGA-54

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

时钟频率 - 166 MHz

存取时间 - 5 ns

封装 TFBGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99