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PH1875L、PH1875L,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PH1875L PH1875L,115

描述 Power Field-Effect TransistorLFPAK N-CH 75V 45.8A

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 5

封装 - SOT-669-4

通道数 - 1

极性 - N-CH

耗散功率 - 62.5W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 75 V

漏源击穿电压 - 55 V

连续漏极电流(Ids) - 45.8A

上升时间 - 80 ns

输入电容(Ciss) - 2600pF @25V(Vds)

下降时间 - 60 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 62.5W (Tc)

封装 - SOT-669-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free