PH1875L,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PH1875L,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 62.5W Tc
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 45.8A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669-4
外形尺寸
封装 SOT-669-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PH1875L,115引脚图与封装图
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在线购买PH1875L,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PH1875L,115 | NXP 恩智浦 | LFPAK N-CH 75V 45.8A | 搜索库存 |
替代型号PH1875L,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PH1875L,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-669-4 N-CH 75V 45.8A | 当前型号 | LFPAK N-CH 75V 45.8A | 当前型号 |
| 型号： PH1875L 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor | PH1875L,115和PH1875L的区别 |