FDS6699S、SI4164DY-T1-GE3、IRF8734PBF对比区别

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型号 FDS6699S SI4164DY-T1-GE3 IRF8734PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6699S  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 1.4 VMOSFET, N-CH, VDS 30V; RDS(ON) 0.0026Ω; ID 30A; SO-8; PD 6W; VGS +/-20VN沟道 30V 21A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 2.5 mW 6 W 2.5 W

产品系列 - - IRF8734

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A - 21.0 A

输入电容(Ciss) 3610pF @15V(Vds) 3545pF @15V(Vds) 3175pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 2.5 W

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 21.0 A - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 3.6 mΩ 0.0039 Ω -

阈值电压 1.4 V - -

输入电容 3.61 nF 3545pF @15V -

栅电荷 65.0 nC - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

上升时间 12 ns - -

下降时间 38 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 3W (Ta), 6W (Tc) -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 - -