FDS6699S
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6699S中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 21.0 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 3.6 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 mW
阈值电压 1.4 V
输入电容 3.61 nF
栅电荷 65.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3610pF @15VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6699S引脚图与封装图
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在线购买FDS6699S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6699S | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6699S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 1.4 V | 搜索库存 |
替代型号FDS6699S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6699S 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 21A 3.6mohms 3.61nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6699S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 1.4 V | 当前型号 |
| 型号： FDS6299S 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 21A 3.9mohms 3.88nF | 类似代替 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET ™ 30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ | FDS6699S和FDS6299S的区别 |
| 型号： FDS7066N3 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 23A 4.4mohms 4.97nF | 类似代替 | 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS6699S和FDS7066N3的区别 |
| 型号： SI4164DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOIC | 功能相似 | MOSFET, N-CH, VDS 30V; RDSON 0.0026Ω; ID 30A; SO-8; PD 6W; VGS +/-20V | FDS6699S和SI4164DY-T1-GE3的区别 |