IRF9Z34NPBF、IRFU1205PBF、IRF9Z24PBF对比区别

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型号 IRF9Z34NPBF IRFU1205PBF IRF9Z24PBF

描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3VISHAY  IRF9Z24PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.7 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220

额定功率 68 W 69 W 60 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.1 Ω - 0.28 Ω

极性 P-Channel N-CH P-Channel

耗散功率 56 W 107 W 60 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 19A 44A -11.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

输入电容 620 pF - -

上升时间 55 ns 69 ns -

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 68 W 107 W -

下降时间 41 ns 60 ns -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 68W (Tc) 107W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-220

长度 10.54 mm 6.73 mm -

宽度 4.69 mm 2.38 mm -

高度 8.77 mm 6.22 mm -

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -