IRF9Z34NPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF9Z34NPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 68 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 56 W
输入电容 620 pF
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
额定功率Max 68 W
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.54 mm
宽度 4.69 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF9Z34NPBF引脚图与封装图 
IRF9Z34NPBF引脚图
IRF9Z34NPBF封装图
IRF9Z34NPBF封装焊盘图
在线购买IRF9Z34NPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF9Z34NPBF | Infineon 英飞凌 | P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |
替代型号IRF9Z34NPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF9Z34NPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL P-Channel 55V 19A | 当前型号 | P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | 当前型号 |
| 型号： IRFZ24NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 55V 17A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF9Z34NPBF和IRFZ24NPBF的区别 |
| 型号： IRLZ24NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 55V 18A | 类似代替 | INFINEON IRLZ24NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 55 V, 60 mohm, 10 V, 2 V | IRF9Z34NPBF和IRLZ24NPBF的区别 |
| 型号： IRFR024NTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 55V 17A | 功能相似 | INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V | IRF9Z34NPBF和IRFR024NTRPBF的区别 |