IRLR014PBF、RFD14N05LSM、NTD3055L104T4G对比区别
型号 IRLR014PBF RFD14N05LSM NTD3055L104T4G
描述 N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 0.2 Ω 100 mΩ 0.089 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 48 W 48 W
阈值电压 2 V 2 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 60 V 50 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 7.70 A 14.0 A 12.0 A
上升时间 110 ns 24 ns 104 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
下降时间 26 ns 16 ns 40.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 48 W 1.5 W
额定电压(DC) - 50.0 V 60.0 V
额定电流 - 14.0 A 12.0 A
额定功率 - 14 W -
针脚数 - 3 4
输入电容 - 670 pF -
栅电荷 - 40.0 nC -
漏源击穿电压 - 50.0 V 60 V
栅源击穿电压 - ±10.0 V ±15.0 V
额定功率(Max) - 48 W 1.5 W
通道数 - - 1
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.39 mm 2.38 mm
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
产品生命周期 - Active Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
ECCN代码 - EAR99 EAR99