
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 7.70 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 DPAK-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRLR014PBF | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRLR014PBF 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DPAK N-Channel 60V 7.7A | 当前型号 | N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 当前型号 | |
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