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IRLR014PBF中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 7.70 A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 400pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 DPAK-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRLR014PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRLR014PBF Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号IRLR014PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRLR014PBF

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DPAK N-Channel 60V 7.7A

当前型号

N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: NTD3055L104T4G

品牌: 安森美

封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 104mohms

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NTD3055L104T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V

IRLR014PBF和NTD3055L104T4G的区别

型号: RFD14N05LSM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 50V 14A 100mohms 670pF

功能相似

N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

IRLR014PBF和RFD14N05LSM的区别