FQB9N50CFTM、FQB9N50CFTM_WS、FQB9N50CTM对比区别

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型号 FQB9N50CFTM FQB9N50CFTM_WS FQB9N50CTM

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB9N50CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 500 V, 0.65 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - - 3

漏源极电阻 700 mΩ - 0.65 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 173W (Tc) 173W (Tc) 135 W

输入电容 1.03 nF - -

栅电荷 35.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9A 9.00 A

输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 173 W - 135 W

耗散功率(Max) 173W (Tc) 173W (Tc) 135W (Tc)

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 9.00 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 2 V

漏源击穿电压 - - 500 V

上升时间 - - 65 ns

下降时间 - - 64 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99