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BST39、FCX658A、BST39,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BST39 FCX658A BST39,115

描述 NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsSOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORNXP  BST39,115  单晶体管 双极, NPN, 350 V, 70 MHz, 1.3 W, 100 mA, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89-3

最小电流放大倍数(hFE) 40 - 40 @20mA, 10V

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.3 W - -

频率 - - 70 MHz

针脚数 - - 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - - 1.3 W

击穿电压(集电极-发射极) - 400 V 350 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.1A

最大电流放大倍数(hFE) - - 40 @20mA, 10V

额定功率(Max) - - 1.3 W

直流电流增益(hFE) - - 40

长度 4.6 mm - -

宽度 2.6 mm - 2.6 mm

高度 1.6 mm - -

封装 SOT-89 SOT-89 SOT-89-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - 150℃ (TJ)