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Diodes 美台 电子元器件分类
FCX658A中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

FCX658A引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FCX658A Diodes 美台 SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 搜索库存
替代型号FCX658A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FCX658A

品牌: Diodes 美台

封装:

当前型号

SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

当前型号

型号: BST39

品牌: 安世

封装: SOT-89

类似代替

通用 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia

FCX658A和BST39的区别