IRF630NSTRLPBF、IRF630SPBF、STB19NF20对比区别

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型号 IRF630NSTRLPBF IRF630SPBF STB19NF20

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道 200V 9ASTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - - 1

耗散功率 82 W 3 W 90 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 14.0 ns - 22 ns

输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 82 W 3 W 90 W

下降时间 - - 11 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 90W (Tc)

漏源极电阻 - 400 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

连续漏极电流(Ids) 9.30 A 9.00 A -

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 9.30 A - -

产品系列 IRF630NS - -

漏源击穿电压 200 V - -

长度 - - 10.75 mm

宽度 - - 10.4 mm

高度 - - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99