IXTP75N10P、STP60NF10、HUF75645P3对比区别

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型号 IXTP75N10P STP60NF10 HUF75645P3

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXTP75N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 VSTMICROELECTRONICS  STP60NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75645P3  场效应管, MOSFET, N沟道, 75A, TO-220AB

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 80.0 A 75.0 A

通道数 - - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.025 Ω 19 mΩ 0.014 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 360 W 300 W 310 W

阈值电压 5.5 V 3 V 4 V

输入电容 - - 3.79 nF

栅电荷 - - 106 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 40.0 A 75.0 A

上升时间 53 ns 56 ns 117 ns

输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds) 3790pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 W 300 W 310 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360000 mW 300W (Tc) 310W (Tc)

下降时间 45 ns 23 ns -

长度 - 10.4 mm 10.67 mm

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

高度 9.15 mm 15.75 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99