BSC12DN20NS3G、BSZ12DN20NS3G对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSC12DN20NS3G BSZ12DN20NS3G

描述 OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-TransistorInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 TDSON-8 PowerTDFN-8

通道数 1 1

耗散功率 50 W 50 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

上升时间 - 4 ns

输入电容(Ciss) - 510pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 50 W

下降时间 - 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 50 W

漏源极电阻 108 mΩ -

极性 N-Channel -

漏源击穿电压 200 V -

连续漏极电流(Ids) 11.3A -

长度 - 3.4 mm

宽度 - 3.4 mm

高度 - 1.1 mm

封装 TDSON-8 PowerTDFN-8

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -