BSZ12DN20NS3G
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
通道数 1
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 510pF @100VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1.1 mm
封装 PowerTDFN-8
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSZ12DN20NS3G | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSZ12DN20NS3G 品牌: Infineon 英飞凌 封装: 8-PowerTDFN | 当前型号 | Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上 | 当前型号 | |
型号: BSC12DN20NS3G 品牌: 英飞凌 封装: TDSON-8 N-Channel 200V 11.3A | 完全替代 | OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor | BSZ12DN20NS3G和BSC12DN20NS3G的区别 |