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BSZ12DN20NS3G

BSZ12DN20NS3G

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Infineon 英飞凌 分立器件

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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BSZ12DN20NS3G


欧时:
### Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R


力源芯城:
200V,125mΩ,11.3A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON


BSZ12DN20NS3G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 510pF @100VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.1 mm

封装 PowerTDFN-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSZ12DN20NS3G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSZ12DN20NS3G Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上 搜索库存
替代型号BSZ12DN20NS3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSZ12DN20NS3G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: 8-PowerTDFN

当前型号

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

当前型号

型号: BSC12DN20NS3G

品牌: 英飞凌

封装: TDSON-8 N-Channel 200V 11.3A

完全替代

OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor

BSZ12DN20NS3G和BSC12DN20NS3G的区别