FQP9N50C、STP55NF06、STP8NM50N对比区别

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型号 FQP9N50C STP55NF06 STP8NM50N

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP8NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 60.0 V -

额定电流 9.00 A 50.0 A -

额定功率 - 110 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 800 mΩ 0.015 Ω 0.73 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 135 W 30 W 45 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 60 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 50.0 A 5A

上升时间 65 ns 50 ns 4.4 ns

输入电容(Ciss) 1030pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 364pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 135 W 110 W 45 W

下降时间 64 ns 15 ns 9 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 135W (Tc) 110W (Tc) 45W (Tc)

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 9.15 mm 16.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -