IRF6725MTRPBF、IRF8308MTRPBF、IRF6725MTR1PBF对比区别

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型号 IRF6725MTRPBF IRF8308MTRPBF IRF6725MTR1PBF

描述 INFINEON  IRF6725MTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 28A DIRECTFET MXN沟道 30V 27ADirectFET® 功率 MOSFET，Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低，尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型，仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7 7

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

额定功率 100 W - -

针脚数 5 - -

漏源极电阻 1.7 mΩ 0.0019 Ω 0.0024 Ω

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 100 W 2.8 W 2.8 W

阈值电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 28A 27A 28A

上升时间 22 ns 19 ns 22 ns

输入电容(Ciss) 4700pF @15V(Vds) 4404pF @15V(Vds) 4700pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.8 W - -

下降时间 13 ns 16 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 100W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc)

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

长度 - - 5.45 mm

宽度 - - 5.05 mm

高度 - - 0.6 mm

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17