IRF8308MTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF8308MTRPBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 4404pF @15VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Protection, Load Switch High Side, Isolated Primary Side MOSFETs, Load Switch Low Side
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF8308MTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF8308MTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF8308MTRPBF | Infineon 英飞凌 | N沟道 30V 27A | 搜索库存 |
替代型号IRF8308MTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF8308MTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 27A | 当前型号 | N沟道 30V 27A | 当前型号 |
| 型号： IRF6725MTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： DirectFET N-CH 30V 28A | 类似代替 | INFINEON IRF6725MTRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 28A DIRECTFET MX | IRF8308MTRPBF和IRF6725MTRPBF的区别 |
| 型号： IRF8308MTR1PBF 品牌： 英飞凌 封装： Direct-FET N-CH 30V 27A | 类似代替 | Direct-FET N-CH 30V 27A | IRF8308MTRPBF和IRF8308MTR1PBF的区别 |