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BZV85-C8V2、BZV85-C8V2,113、1N5344BG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV85-C8V2 BZV85-C8V2,113 1N5344BG

描述 NXP  BZV85-C8V2  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  BZV85-C8V2,113  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °CON SEMICONDUCTOR  1N5344BG  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 5 W, 017AA, 5 %, 2 引脚, 200 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41 T-18

容差 - ±5 % ±5 %

针脚数 2 2 2

正向电压 - 1V @50mA 1.2 V

耗散功率 1 W 1 W 5 W

测试电流 - 25 mA 150 mA

稳压值 8.2 V 8.2 V 8.2 V

正向电压(Max) - 1V @50mA 1.2V @1A

额定功率(Max) - 1.3 W 5 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1300 mW 5000 mW

额定电压(DC) - - 8.20 V

额定功率 - - 5.00 W

无卤素状态 - - Halogen Free

击穿电压 - - 8.20 V

电路数 - - 1

正向电流 - - 1 A

工作结温(Max) - - 200 ℃

长度 - 4.8 mm 8.89 mm

宽度 - 2.6 mm 3.68 mm

高度 - 2.6 mm 3.68 mm

封装 DO-41 DO-41 T-18

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃

温度系数 - 4.6 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99