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IPB100N06S3-03、IPB100N06S3-04、IPB100N06S3L-04对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB100N06S3-03 IPB100N06S3-04 IPB100N06S3L-04

描述 OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V

额定电流 100 A 100 A 100 A

通道数 1 - -

漏源极电阻 3 mΩ - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300 W 214W (Tc) 214W (Tc)

输入电容 21.6 nF 21.6 nF 21.6 nF

栅电荷 480 nC 480 nC 480 nC

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V - -

连续漏极电流(Ids) 100 A 100 A 100 A

上升时间 67 ns 62 ns 58 ns

输入电容(Ciss) 21620pF @25V(Vds) 14230pF @25V(Vds) 17270pF @25V(Vds)

下降时间 60 ns 62 ns 55 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 214W (Tc) 214W (Tc)

额定功率(Max) - 214 W 214 W

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free