IPB100N06S3L-04
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB100N06S3L-04中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 100 A
极性 N-CH
耗散功率 214W Tc
输入电容 21.6 nF
栅电荷 480 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 100 A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 17270pF @25VVds
额定功率Max 214 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB100N06S3L-04引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB100N06S3L-04 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB100N06S3L-04
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： IPB100N06S3L-04 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 55V 100A 21.6nF | 当前型号 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB100N06S3-03 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 55V 100A 21.6nF | 类似代替 | OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor | IPB100N06S3L-04和IPB100N06S3-03的区别 |
| 型号： IPB100N06S3L-03 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 55V 100A | 类似代替 | OptiMOS㈢ -T电源晶体管 OptiMOS㈢-T Power-Transistor | IPB100N06S3L-04和IPB100N06S3L-03的区别 |