MTP50P03HDL、MTP50P03HDLG对比区别

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型号 MTP50P03HDL MTP50P03HDLG

描述 功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道TO- 220 Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P-Channel TO-220P沟道TO-220AB-3封装场效应管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V

额定电流 -50.0 A -50.0 A

额定功率 - 125 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 25.0 mΩ 0.025 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 125W (Tc) 125 W

阈值电压 - 1.5 V

输入电容 - 3500pF @25V

栅电荷 - 100 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A

上升时间 340 ns 340 ns

输入电容(Ciss) 4900pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W 125 W

下降时间 - 218 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc)

正向电压 2.39 V -

长度 - 10.28 mm

高度 - 14.48 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99