SIHF18N50D-E3、STF20NK50Z、STP20NM50FP对比区别

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型号 SIHF18N50D-E3 STF20NK50Z STP20NM50FP

描述 MOSFET Transistor, N Channel, 18A, 500V, 0.23Ω, 10V, 3VN沟道500 V， 0.23 Ω ， 17的超网™功率MOSFET稳压保护TO- 220 ， TO- 247 ， TO- 220FP ， D2PAK N-channel 500 V, 0.23 Ω, 17 A SuperMESH? Power MOSFET Zener-protected TO-220, TO-247, TO-220FP, D2PAKN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 550 V

额定电流 - - 20.0 A

漏源极电阻 0.23 Ω - 0.2 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 39 W 40W (Tc) 45 W

阈值电压 3 V - 4 V

输入电容 - - 1.48 nF

栅电荷 - - 56.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 550 V

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 20.0 A

上升时间 - 20 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 1500pF @100V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 40 W 45 W

下降时间 - 15 ns 8.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 39W (Tc) 40W (Tc) 45W (Tc)

通道数 - 1 -

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17