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DS1265W-150、DS1265W-100+、DS1265W-150+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1265W-150 DS1265W-100+ DS1265W-150+

描述 IC NVSRAM 8Mbit 150NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 150NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

引脚数 36 - -

存取时间 150 ns 100 ns 150 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

时钟频率 150 GHz - -

内存容量 8000000 B - -

长度 53.34 mm 53.34 mm -

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

高度 10.29 mm 10.29 mm -

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅