DS1265W-150
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
主动器件
DS1265W-150中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 8000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 36
封装 EDIP-36
外形尺寸
长度 53.34 mm
宽度 18.8 mm
高度 10.29 mm
封装 EDIP-36
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
DS1265W-150引脚图与封装图 
DS1265W-150引脚图
DS1265W-150封装图
DS1265W-150封装焊盘图
在线购买DS1265W-150
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1265W-150 | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 8Mbit 150NS 36DIP | 搜索库存 |
替代型号DS1265W-150
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1265W-150 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： EDIP-36 8000000B 3.3V 150ns 36Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 8Mbit 150NS 36DIP | 当前型号 |
| 型号： DS1265W-150+ 品牌： 美信 封装： EDIP-36 | 完全替代 | IC NVSRAM 8Mbit 150NS 36DIP | DS1265W-150和DS1265W-150+的区别 |
| 型号： DS1265W-100+ 品牌： 美信 封装： MOD | 类似代替 | IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP | DS1265W-150和DS1265W-100+的区别 |