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CY14B104N-BA25XIT、CY14B104NA-BA25XIT、CY14B104N-BA25XI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B104N-BA25XIT CY14B104NA-BA25XIT CY14B104N-BA25XI

描述 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 -

封装 TFBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

存取时间(Max) 25 ns 25 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 TFBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

高度 0.89 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -