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CY14B104N-BA25XIT

CY14B104N-BA25XIT

数据手册.pdf

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb(256K x 16) 并联 25 ns 48-FBGA(6x10)


得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 48-Pin FBGA T/R


CY14B104N-BA25XIT中文资料参数规格
技术参数

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY14B104N-BA25XIT引脚图与封装图
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在线购买CY14B104N-BA25XIT
型号 制造商 描述 购买
CY14B104N-BA25XIT Cypress Semiconductor 赛普拉斯 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM 搜索库存
替代型号CY14B104N-BA25XIT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY14B104N-BA25XIT

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: 48-TFBGA

当前型号

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

当前型号

型号: CY14B104NA-BA25XI

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

CY14B104 系列 4 Mb 256 kb x 16 2.7 - 3.6 V MVSRAM - FBGA-48

CY14B104N-BA25XIT和CY14B104NA-BA25XI的区别

型号: CY14B104NA-BA25XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

CY14B104N-BA25XIT和CY14B104NA-BA25XIT的区别

型号: CY14B104NA-BA25IT

品牌: 赛普拉斯

封装: 48-TFBGA

完全替代

4兆位( 512 K A ?? 256分之8 K A ? 16 )的nvSRAM 4-Mbit 512 K × 8/256 K × 16 nvSRAM

CY14B104N-BA25XIT和CY14B104NA-BA25IT的区别