FDD10AN06A0、PHD3055E,118、IRFR2407PBF对比区别

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型号 FDD10AN06A0 PHD3055E,118 IRFR2407PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD10AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RINTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR2407PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 42A, D-PAKS 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V - 75.0 V

额定电流 50.0 A - 42.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0094 Ω - 26 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 135 W 33 W 110 W

阈值电压 4 V - 4 V

输入电容 1.84 nF - 2400pF @25V

栅电荷 28.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 75 V

漏源击穿电压 -60.0 V - 75 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 10.3 A 42.0 A

上升时间 79 ns 26 ns 90.0 ns

输入电容(Ciss) 1840pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 135 W - 110 W

下降时间 32 ns 10 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 135 W 33W (Tc) -

产品系列 - - IRFR2407

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -