IPA60R600CPXKSA1、IPA60R600P6、IPA60R600P6XKSA1对比区别

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型号 IPA60R600CPXKSA1 IPA60R600P6 IPA60R600P6XKSA1

描述 N沟道 600V 6.1A600V,600mΩ,4.9A,N沟道功率MOSFET单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 28W (Tc) 28W (Tc) 28 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 6.1A 4.9A 4.9A

输入电容(Ciss) 550pF @100V(Vds) 557pF @100V(Vds) 557pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) 28W (Tc) 28W (Tc) 28000 mW

上升时间 - 7 ns 7 ns

下降时间 - 14 ns 14 ns

额定功率 - - 28 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.54 Ω

阈值电压 - - 4 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 - 10.65 mm -

宽度 - 4.85 mm -

高度 - 16.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube, Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99