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IPA60R600P6XKSA1

IPA60R600P6XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

通孔 N 通道 4.9A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220-FP


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin TO-220 FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 28W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


IPA60R600P6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 28 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4.9A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 557pF @100VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 28000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 PFC stages for, PWM stages TTF, LLC for, , telecom rectifier,

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPA60R600P6XKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPA60R600P6XKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPA60R600P6XKSA1 Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号IPA60R600P6XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPA60R600P6XKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 600V 4.9A

当前型号

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: IPA60R600P6

品牌: 英飞凌

封装: TO-220-3 N-CH 600V 4.9A

功能相似

600V,600mΩ,4.9A,N沟道功率MOSFET

IPA60R600P6XKSA1和IPA60R600P6的区别

型号: IPA60R600CP

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 600V 6.1A

功能相似

INFINEON  IPA60R600CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

IPA60R600P6XKSA1和IPA60R600CP的区别

型号: IPA60R600CPXKSA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-220FP N-CH 600V 6.1A

功能相似

N沟道 600V 6.1A

IPA60R600P6XKSA1和IPA60R600CPXKSA1的区别