STD3NK50ZT4、STP9NK70Z、FQD4N50TM对比区别

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型号 STD3NK50ZT4 STP9NK70Z FQD4N50TM

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP9NK70Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道 500V 2.6A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) 500 V 700 V 500 V

额定电流 2.30 A 7.50 A 2.60 A

漏源极电阻 2.80 Ω 1 Ω 2.7 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 115 W 2.5 W

输入电容 280 pF - -

漏源极电压(Vds) 500 V 700 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 700 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.30 A 4.00 A 3.00 A

上升时间 13 ns 17 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 280pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 115 W 2.5 W

下降时间 14 ns 13 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 115W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3.75 V -

通道数 - - 1

长度 6.6 mm 10.4 mm 6.73 mm

宽度 6.2 mm 4.6 mm 6.22 mm

高度 2.4 mm 16.4 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99