CY7C1243KV18-400BZC、CY7C1263KV18-400BZC、CY7C1263KV18-400BZI对比区别

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型号 CY7C1243KV18-400BZC CY7C1263KV18-400BZC CY7C1263KV18-400BZI

描述 36兆位QDR® II SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR® II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)36 - Mbit的QDR ？ II + SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)36 - Mbit的QDR ？ II + SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 LBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 - - 400 MHz

位数 - - 18

存取时间 0.45 ns - 0.45 ns

存取时间(Max) - - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 LBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a