CY7C1243KV18-400BZC
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY7C1243KV18-400BZC中文资料参数规格
技术参数
存取时间 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 LBGA-165
外形尺寸
封装 LBGA-165
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CY7C1243KV18-400BZC引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1243KV18-400BZC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 36兆位QDR® II SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR® II SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency | 搜索库存 |
替代型号CY7C1243KV18-400BZC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1243KV18-400BZC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： 165-LBGA | 当前型号 | 36兆位QDR® II SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR® II SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency | 当前型号 |
| 型号： CY7C1263KV18-400BZC 品牌： 赛普拉斯 封装： 165-LBGA | 完全替代 | 36 - Mbit的QDR ？ II + SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency | CY7C1243KV18-400BZC和CY7C1263KV18-400BZC的区别 |
| 型号： CY7C1263KV18-400BZI 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA-165 | 功能相似 | 36 - Mbit的QDR ？ II + SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency | CY7C1243KV18-400BZC和CY7C1263KV18-400BZI的区别 |