TLC271CDR、TS922IN、TLC271ID对比区别
描述 TEXAS INSTRUMENTS TLC271CDR 单运算放大器STMICROELECTRONICS TS922IN 运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 12V, DIP, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS TLC271ID 运算放大器, 单路, 1.7 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)
分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8
工作电压 3V ~ 16V 2.7V ~ 12V 3V ~ 16V
输出电流 - - ≤30 mA
供电电流 950 µA 2 mA 950 µA
电路数 1 2 1
通道数 1 2 1
针脚数 8 8 8
耗散功率 725 mW - 0.725 W
共模抑制比 65 dB 60 dB 65 dB
输入补偿漂移 1.80 µV/K - 1.80 µV/K
带宽 1.7 MHz 4 MHz 1.7 MHz
转换速率 3.60 V/μs 1.30 V/μs 3.60 V/μs
增益频宽积 1.7 MHz 4 MHz 1.7 MHz
输入补偿电压 1.1 mV 3 mV 1.1 mV
输入偏置电流 0.7 pA 15 nA 0.7 pA
工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 2.2 MHz 4 MHz 2.2 MHz
耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW
共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB
电源电压 3V ~ 16V 2.7V ~ 12V 4V ~ 16V
电源电压(DC) - 3.00 V -
长度 4.9 mm 9.27 mm 4.9 mm
宽度 3.91 mm 6.35 mm 3.91 mm
高度 1.58 mm 3.3 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -