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BZV55-C12、BZV55-C12,115、1N962B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C12 BZV55-C12,115 1N962B

描述 NXP  BZV55-C12  单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  BZV55-C12,115  单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CNTE ELECTRONICS  1N962B  齐纳二极管, 500mW, 11V, DO-204AH-2

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NTE Electronics

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 SOD-80 Mini-MELF DO-204AH

容差 - ±5 % -

针脚数 2 2 2

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 12 V 12 V 11 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 - 3.7 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

封装 SOD-80 Mini-MELF DO-204AH

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 8.4 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -