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BZV55-C12

BZV55-C12

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  BZV55-C12  单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

The BZV55 series from are surface mount low power voltage regulator diodes which are hermetically sealed in SOD80C package. The device features non repetitive peak reverse power dissipation

.
Wide working voltage range from 2.4V to 75V E24 range
.
Total power dissipation of 400mW at Tamb
.
Operating junction temperature range from -65°C to 200°C
.
Available in ±2% and ±5% tolerance
.
Forward current of 250mA
.
Maximum forward voltage VF of 900mV at IF 10mA
BZV55-C12中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 12 V

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-80

外形尺寸

封装 SOD-80

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, 电源管理, 便携式器材, Portable Devices, 消费电子产品, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BZV55-C12引脚图与封装图
BZV55-C12引脚图

BZV55-C12引脚图

BZV55-C12封装图

BZV55-C12封装图

BZV55-C12封装焊盘图

BZV55-C12封装焊盘图

在线购买BZV55-C12
型号 制造商 描述 购买
BZV55-C12 NXP 恩智浦 NXP  BZV55-C12  单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C 搜索库存
替代型号BZV55-C12
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BZV55-C12

品牌： NXP 恩智浦

封装： SOD-80C

当前型号

NXP  BZV55-C12  单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

当前型号

型号： BZV55-C12,115

品牌： 恩智浦

封装： Mini-MELF

完全替代

NXP  BZV55-C12,115  单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

BZV55-C12和BZV55-C12,115的区别

型号： BZV55-C12,135

品牌： 恩智浦

封装： SOD-80C

完全替代

NXP  BZV55-C12,135  单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

BZV55-C12和BZV55-C12,135的区别