BSC014N04LSATMA1、BSC014N04LSIATMA1、BSC016N04LSGATMA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSIATMA1 BSC016N04LSGATMA1

描述 INFINEON  BSC014N04LSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  BSC014N04LSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  BSC016N04LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON

额定功率 96 W 96 W -

通道数 1 - -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0011 Ω 0.0012 Ω 0.0013 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 96 W 139 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

输入电容 4300 pF - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 40 V - -

连续漏极电流(Ids) 32A 31A 31A

上升时间 9 ns 50 ns 7.6 ns

输入电容(Ciss) 4300pF @20V(Vds) 4000pF @20V(Vds) 8900pF @20V(Vds)

下降时间 7 ns 11 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta), 96W (Tc) 139 W

长度 5.9 mm 5.9 mm 5.35 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 6.1 mm

高度 1.27 mm 1.27 mm 1.1 mm

封装 TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -