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MUN2213T1、MUN2214T1G、MUN2213T1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2213T1 MUN2214T1G MUN2213T1G

描述 MUN2213T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 47k 47k 增益80-140 SOT-23/SC-59 marking/标记 8C ESD保护NPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ON SEMICONDUCTOR  MUN2213T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-59

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-59 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

耗散功率 - 0.338 W 0.338 W

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

额定功率(Max) - 230 mW 338 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 338 mW 338 mW

封装 SC-59 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm 2.9 mm

宽度 - 1.5 mm 1.5 mm

高度 - 1.09 mm 1.09 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃