BSZ160N10NS3 G、FDMC86102对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSZ160N10NS3 G FDMC86102

描述 INFINEON  BSZ160N10NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC86102  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.0194 ohm, 10 V, 3.1 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PG-TSDSON Power-33-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.014 Ω 0.0194 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 63 W 41 W

阈值电压 2.8 V 3.1 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 7A

上升时间 10 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @50V(Vds) 965pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 63 W 2.3 W

下降时间 5 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 63 W 2.3W (Ta), 41W (Tc)

长度 3.4 mm 3.3 mm

宽度 3.4 mm 3.3 mm

高度 1.1 mm 1.05 mm

封装 PG-TSDSON Power-33-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 -