FDMC86102
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMC86102中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0194 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 41 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 965pF @50VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 41W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-33-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDMC86102引脚图与封装图
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在线购买FDMC86102
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMC86102 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC86102 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.0194 ohm, 10 V, 3.1 V | 搜索库存 |
替代型号FDMC86102
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMC86102 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power N-Channel 100V 7A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC86102 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 100 V, 0.0194 ohm, 10 V, 3.1 V | 当前型号 |
| 型号： BSZ160N10NS3 G 品牌： 英飞凌 封装： TSDSON N-Channel | 功能相似 | INFINEON BSZ160N10NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.8 V | FDMC86102和BSZ160N10NS3 G的区别 |