BD912、TIP30C、2N6491G对比区别

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型号 BD912 TIP30C 2N6491G

描述 PNP 功率晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  TIP30C  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 30 W, -1 A, 15 hFEON SEMICONDUCTOR  2N6491G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 5 MHz, 1.8 W, -15 A, 5 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz 3 MHz 5 MHz

额定电压(DC) -100 V -100 V -80.0 V

额定电流 -15.0 A -1.00 A 15.0 A

针脚数 3 3 3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP, P-Channel

耗散功率 90 W 30 W 1.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 80 V

热阻 - - 1.67℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 15A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5A, 4V 15 @1A, 4V 20 @5A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 150 75 150

额定功率(Max) 90 W 2 W 1.8 W

直流电流增益(hFE) 40 15 5

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 90 W 2000 mW 1800 mW

增益频宽积 3 MHz - -

长度 10.4 mm 10.67 mm 10.28 mm

宽度 4.6 mm 4.83 mm 4.82 mm

高度 9.15 mm 9.4 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99